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AUIRS2113STR

高、低端驱动器

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描述: AUIRS211(0,3)S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: AUIRS2113STR
商品编号: C533504
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

商品概述

AUIRS211(0,3)S是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达500V或600V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
可在高达+500V或+600V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道欠压锁定
与3.3V输入逻辑兼容
独立逻辑电源范围为3.3V至20V
逻辑地和功率地偏移±5V
带下拉的CMOS施密特触发输入
逐周期边沿触发关断逻辑
双通道传播延迟匹配
输出与输入同相
无铅，符合RoHS标准
通过汽车级认证

应用领域

混合动力电动汽车
空调驱动器、泵、风扇
汽车通用双低端/高端驱动器
汽车电机驱动器
汽车DC/DC转换器
汽车喷射控制

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.5A
	拉电流(IOH)	2.5A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	140ns
	传播延迟 tpHL	120ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)