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AUIRS2117STR实物图
  • AUIRS2117STR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AUIRS2117STR

AUIRS2117STR

商品型号
AUIRS2117STR
商品编号
C533505
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)600mA
属性参数值
拉电流(IOH)290mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)75ns
下降时间(tf)25ns
工作温度-

商品概述

AUIRS2117S/AUIRS2118S是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600 V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计
  • 可在高达+600 V的电压下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压
  • 抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 欠压锁定
  • 带下拉(AUIRS2117)或上拉(AUIRS2118)的CMOS施密特触发输入
  • 输出与输入同相(AUIRS2117)或反相(AUIRS2118)
  • 无铅,符合RoHS标准
  • 通过汽车级认证

应用领域

  • 直接/压电喷射
  • 无刷直流电机驱动
  • MOSFET和IGBT驱动器

数据手册PDF

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

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