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AUIRS2118STR
高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于高侧或低侧配置，与标准CMOS输出兼容
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRS2118STR
- 商品编号
- C533506
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 70uA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
AUIRS2117S/AUIRS2118S是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600 V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作设计
- 可在高达+600 V的电压下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压
- 抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
- 欠压锁定
- 带下拉（AUIRS2117）或上拉（AUIRS2118）的CMOS施密特触发输入
- 输出与输入同相（AUIRS2117）或反相（AUIRS2118）
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- 直接/压电喷射
- 无刷直流电机驱动
- MOSFET和IGBT驱动器