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AUIRS21814STR

浮动通道高、低端驱动器

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描述: 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: AUIRS21814STR
商品编号: C533512
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.238克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	160ns
	传播延迟 tpHL	200ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	60uA

商品概述

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高可承受600V电压。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道
最高可在+600V下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道均具备欠压锁定功能
兼容3.3V和5V输入逻辑
双通道的传播延迟匹配
逻辑地和功率地的偏移为+/-5V
较低的di/dt栅极驱动器，具备更好的抗噪性
输出源/灌电流能力（典型值）为1.9A / 2.3A
无铅，符合RoHS标准
通过汽车级认证

应用领域

压电/共轨喷射
起动机/交流发电机
电动助力转向
风扇和压缩机

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

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近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.3A
	拉电流(IOH)	1.9A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	15ns