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AUIRF5210STRL
1个P沟道 耐压:100V 电流:38A
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- 描述
- 专门为汽车应用设计，这种蜂窝式设计的HEXFET功率MOSFET采用了最新的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车和各种其他应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF5210STRL
- 商品编号
- C533267
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,38A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET蜂窝式设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及多种其他应用。
商品特性
- 先进工艺技术
- P沟道MOSFET
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 汽车级认证*