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AUIRF8739L2TR
1个N沟道 耐压:40V 电流:545A
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- 描述
- AUIRF8739L2将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装技术相结合，在具备SO - 8或5X6mm PQFN封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了卓越性能。如果遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明，DirectFET®封装可与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统中的热传递效率
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF8739L2TR
- 商品编号
- C533300
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 545A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.35mΩ@10V,195A | |
| 耗散功率(Pd) | 340W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 375nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.83nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AUIRF8739L2将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装技术相结合，在具有SO - 8或5X6mm PQFN封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了卓越性能。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET®封装与电力应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可在汽车电力系统中实现最大程度的热传递。 这款HEXFET®功率MOSFET专为对效率和功率密度有要求的应用而设计。先进的DirectFET®封装平台与最新的硅技术相结合，使AUIRF8739L2能够在ICE、HEV和EV平台的电机驱动、DC - DC及其他重载应用中实现显著的系统级成本节约和性能提升。该MOSFET采用最新的加工技术，实现了单位硅面积的超低导通电阻。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温以及高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为适用于大电流汽车应用的高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 针对汽车电机驱动、DC - DC及其他重载应用进行优化
- 封装尺寸极小且厚度薄
- 高功率密度
- 低寄生参数
- 双面散热
- 工作温度达175°C
- 在最高结温Tjmax下允许重复雪崩
- 无铅、符合RoHS标准且无卤素
- 通过汽车级认证