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AUIRFN8403TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AUIRFN8403TR

AUIRFN8403TR

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商品型号
AUIRFN8403TR
商品编号
C533307
商品封装
PQFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)123A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)4.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)98nC@10V
输入电容(Ciss)3.174nF
反向传输电容(Crss)332pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计,采用最新的加工技术,实现了极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该产品成为汽车及其他多种应用中极为高效可靠的器件。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 允许在最高结温下进行重复雪崩
  • 无铅,符合RoHS标准
  • 通过汽车级认证

应用领域

  • 电动助力转向系统(EPS)-电池开关-启停微混合动力系统-重载应用-DC-DC转换器

数据手册PDF