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AUIRFN8459TR
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 专为汽车应用设计，这款HEXFET功率MOSFET采用最新加工技术，以实现每个硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该产品成为汽车和其他各种应用中极其高效和可靠的器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFN8459TR
- 商品编号
- C533310
- 商品封装
- PQFN-8(5.8x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计，采用最新的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该产品成为汽车及其他各种应用中极为高效可靠的器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 双N沟道MOSFET
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- 12V汽车系统
- 有刷直流电机
- 制动系统
- 传动系统