AUIRF7379QTR
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7379QTR
- 商品编号
- C533281
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF；440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF；93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些采用双SO-8封装的HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，利用最新的加工技术，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。这些符合汽车应用标准的HEXFET功率MOSFET还具备150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值等特性。这些优势相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。 高效的SO-8封装具有出色的热特性和双MOSFET管芯能力，非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8封装可显著节省电路板空间，还提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 150°C工作温度
- 无铅,符合RoHS标准
- 符合汽车应用标准