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AUIRF7749L2TR
1个N沟道 耐压:60V 电流:345A
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- 描述
- 将最新的汽车HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）尺寸和仅0.7mm厚度的封装中实现卓越性能。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装允许双面冷却，以最大化汽车电源系统中的热传递。该HEXFET功率MOSFET专为注重效率和功率密度的应用而设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7749L2TR
- 商品编号
- C533295
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 345A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,120A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 10.655nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 680pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
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