温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRF7769L2TR
1个N沟道 耐压:100V 电流:375A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。如果在制造方法和工艺方面遵循应用笔记AN-1035，DirectFET®封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7769L2TR
- 商品编号
- C533297
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 375A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,74A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W；125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.56nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |