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AUIRF7769L2TR
1个N沟道 耐压:100V 电流:375A
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- 描述
- AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有D-Pak（TO-252AA）封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。如果在制造方法和工艺方面遵循应用笔记AN-1035，DirectFET®封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7769L2TR
- 商品编号
- C533297
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 375A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W；125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AUIRF7769L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有DPak（TO - 252AA）封装尺寸且厚度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET®封装与电力应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统的热传递效率。 这款HEXFET®功率MOSFET专为对效率和功率密度有较高要求的应用而设计。先进的DirectFET®封装平台与最新的硅技术相结合，使AUIRF7769L2TR能够显著节省系统成本并提高性能，尤其适用于内燃机（ICE）、混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）平台上的电机驱动、高频DC - DC及其他重载应用。该MOSFET采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现了低导通电阻和低栅极电荷（Qg）。此外，该MOSFET还具备175°C的工作结温以及高重复峰值电流能力。这些特性使该MOSFET成为适用于大电流汽车应用的高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
-针对汽车电机驱动、DC-DC及其他重载应用进行优化-封装尺寸极小且厚度低-高功率密度-低寄生参数-双面散热-工作温度达175°C-具备重复雪崩能力,耐用且可靠-无铅、符合RoHS标准且无卤-通过汽车级认证
应用领域
- 电机驱动
- 高频DC - DC
- 内燃机(ICE)、混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)平台上的其他重载应用