AUIRF7665S2TR
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.1A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7665S2TR
- 商品编号
- C533286
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AUIRF7665S2将最新的汽车用HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装平台相结合,为汽车D类音频放大器应用打造出一款同类最佳的产品。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时,DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可在汽车电源系统中实现最大程度的热传递。 这款HEXFET功率MOSFET优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻,以改善D类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。此外,与传统的引线键合SOIC封装相比,DirectFET封装平台具有较低的寄生电感和电阻,通过减少电流瞬变时伴随的电压振铃来改善EMI性能。 这些特性使这款MOSFET成为汽车D类音频放大器系统中极具吸引力的组件。
商品特性
- 针对D类音频放大器应用进行优化
- 低导通电阻Rds(on),提高效率
- 低栅极电荷Qg,改善THD并提高效率
- 低反向恢复电荷Qrr,改善THD并降低EMI
- 低寄生电感,减少振铃并降低EMI
- 无需散热片,每通道可向8Ω负载输出高达100W功率
- 双面散热
- 工作温度可达175°C
- 具备重复雪崩能力,确保坚固性和可靠性
- 无铅、符合RoHS标准且无卤素
- 通过汽车级认证