AUIRF7799L2TR
1个N沟道 耐压:250V 电流:375A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7799L2TR
- 商品编号
- C533298
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@125V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.714nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 157pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AUIRF7799L2TR将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合,在具有DPak(TO - 252AA)封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。在遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时,DirectFET®封装与电力应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热,可在汽车电力系统中实现最大的热传递。 这款HEXFET®功率MOSFET专为对效率和功率密度要求极高的应用而设计。先进的DirectFET®封装平台与最新的硅技术相结合,使AUIRF7799L2TR能够显著节省系统成本并提升性能,尤其适用于内燃机(ICE)、混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)平台上的电机驱动、高频DC - DC及其他重载应用。该MOSFET采用最新的工艺技术,在单位硅面积上实现了低导通电阻和低栅极电荷(Qg)。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温以及高重复峰值电流能力。这些特性使该MOSFET成为适用于大电流汽车应用的高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 针对汽车电机驱动、DC - DC及其他重载应用进行优化
- 封装尺寸极小且高度低
- 功率密度高
- 寄生参数低
- 双面散热
- 工作温度达175°C
- 具备重复雪崩能力,耐用且可靠
- 无铅、符合RoHS标准且无卤素
- 通过汽车级认证
应用领域
- 汽车电机驱动
- DC - DC
- 内燃机(ICE)、混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)平台上的其他重载应用