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AUIRF7675M2TR
1个N沟道 耐压:150V 电流:18A
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- 描述
- AUIRF7675M2TR/TR1将最新的汽车用HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装平台相结合，为汽车D类音频放大器应用打造出一款同类最佳的产品。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与功率应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统的热传递效率
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7675M2TR
- 商品编号
- C533288
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@75V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AUIRF7675M2TR/TR1将最新的汽车用HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装平台相结合，为汽车D类音频放大器应用打造出一流的产品。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与功率应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统的热传递效率。 这款HEXFET功率MOSFET对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。此外，与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFET封装平台的寄生电感和电阻更低，通过减少电流瞬变时伴随的电压振铃，改善了EMI性能。 这些特性使该MOSFET成为汽车D类音频放大器系统中极具吸引力的组件。
商品特性
-针对D类音频放大器应用进行优化-低导通电阻RDS(ON),提高效率-低栅极电荷Qg,改善THD并提高效率-低反向恢复电荷Qrr,改善THD并降低EMI-低寄生电感,减少振铃并降低EMI-无需散热片,每通道可向4Ω负载输出高达250W功率-双面散热-工作温度可达175°C-具备重复雪崩能力,确保坚固性和可靠性-无铅、符合RoHS标准且无卤素-通过汽车级认证
应用领域
-汽车D类音频放大器应用