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AUIRF7341QTR
2个N沟道 耐压:55V 电流:5.1A
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- 描述
- 专为汽车应用设计，双SO-8封装的功率MOSFET利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这些经过汽车认证的功率MOSFET的额外特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优点结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8可以显著减少电路板空间，也有卷带包装形式。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7341QTR
- 商品编号
- C533278
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些采用双SO - 8封装的HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，利用最新的工艺技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这些符合汽车应用标准的HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于汽车应用及各种其他应用的高效可靠器件。 高效的SO - 8封装具有出色的热特性和双MOSFET管芯能力，非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO - 8封装可大幅减少电路板空间，也提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的平面技术
- 超低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双N沟道MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装形式
- 175°C工作温度
- 无铅,符合RoHS标准
- 符合汽车应用标准