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AUIRF7342QTR
2个P沟道 耐压:55V 电流:3.4A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7342QTR
- 商品编号
- C533279
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET单元设计采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双P沟道MOSFET
- 动态dv/dt额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅、符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- 汽车