温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRF7343QTR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:55V 电流:4.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 专为汽车应用设计，采用双SO-8封装的功率MOSFET，利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。具备150°C的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，适用于各种功率应用，可显著减少电路板空间，也提供卷带包装。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7343QTR
- 商品编号
- C533280
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些采用双 SO - 8 封装的 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，利用最新的加工技术，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。这些通过汽车级认证的 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 150°C 的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于汽车应用及各种其他应用的高效可靠器件。 高效的 SO - 8 封装具有出色的热特性和双 MOSFET 管芯能力，使其成为各种功率应用的理想选择。这种双表面贴装 SO - 8 封装可显著节省电路板空间，还提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的平面技术
- 超低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装形式
- 150°C 工作温度
- 无铅,符合 RoHS 标准
- 通过汽车级认证