温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRF7313QTR
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款专为汽车应用设计的HEXFET@arrow功率MOSFET蜂窝式设计，采用最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用领域。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7313QTR
- 商品编号
- C533276
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用最新的加工技术，实现了单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证