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AUIRF7313QTR
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 描述
- 这款专为汽车应用设计的HEXFET@arrow功率MOSFET蜂窝式设计，采用最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用领域。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7313QTR
- 商品编号
- C533276
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,6.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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