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AUIRF4905STRL
1个P沟道 耐压:55V 电流:70A
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- 描述
- 专门为汽车应用设计，这种蜂窝状设计的HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于汽车和各种其他应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF4905STRL
- 商品编号
- C533265
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,42A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
~~- 先进的平面技术-P沟道MOSFET-低导通电阻-工作温度达150°C-快速开关-在最高结温Tjmax下允许重复雪崩-无铅,符合RoHS标准-通过汽车级认证