C3M0016120K-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关和快速本征二极管等特性

描述

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，导通电阻（RDON）低至16mΩ，支持高达120A的连续漏极电流（ID），适用于高效率、高频电力电子系统。器件基于碳化硅材料，具备更高的热稳定性和更低的开关损耗，可广泛用于新能源、智能电网、精密电源及高密度功率转换装置中，满足复杂工况下的性能需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0016120K-HXY

商品编号

C52043407

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

0.872克(g)