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UJ3C120040K3S-HXY
UJ3C120040K3S-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备优异的导热性与耐高温特性。其最大漏极电流ID可达63A，导通电阻RD(ON)低至32mΩ，确保在高功率密度场景下实现高效能表现。适用于高效电源转换系统、可再生能源设备及高频率开关电路，满足对效率与可靠性有高要求的电力电子应用需求，为复杂电路设计提供稳定支持。
- 商品型号
- UJ3C120040K3S-HXY
- 商品编号
- C52043413
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |