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UF3SC120016K4S-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装带独立驱动源极引脚，高压低阻，高速低电容，本征二极管恢复快，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 本产品为120A 1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻（RDON: 16mΩ），适用于高效率、高频率的功率转换场景。其高耐压特性支持在高压电路中稳定工作，适用于电源适配器、新能源设备及高密度功率系统的设计。器件基于碳化硅材料，具备优异的热稳定性和开关性能，有助于提升整体系统效率并减小散热设计压力，适合复杂工况下的长期运行需求。
- 商品型号
- UF3SC120016K4S-HXY
- 商品编号
- C52043415
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 耗散功率(Pd) | 556W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 211nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.3mΩ |