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AIMW120R035M1HXKSA1-HXY
AIMW120R035M1HXKSA1-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电气性能和稳定性。在25℃环境下，连续漏极电流为63A，导通电阻低至32毫欧，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高温能力与开关速度，适用于高频电源转换、高效整流、智能电网接口设备及高性能电力电子系统等应用场景。
- 商品型号
- AIMW120R035M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C52043408
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |
- NVH4L060N065SC1-HXY
- IMZA65R039M1HXKSA1-HXY
- MSC017SMA120B4-HXY
- UF3C065040K3S-HXY
- UJ3C120040K3S-HXY
- UF3C120040K3S-HXY
- UF3SC120016K4S-HXY
- BTA41-600BRG-HXY
- BTA41-800BRG-HXY
- BTA08-600C-HXY
- BTA16-600BRG-HXY
- BTA16-800BWRG-HXY
- BTA24-600BWRG-HXY
- 01113C
- NMST-125B(50m)
- NMST-100(32.5+67.5)
- THWGQ-3-16mm-550mm
- CX-201-12-12(9CM)
- HY-150mm/black
- CSF-4
- MBS-50