MSC017SMA120B4-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用第三代SiC MOSFET技术，独立驱动源极引脚封装，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容、快速本征二极管

描述

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的导通和开关特性。器件最大漏极电流（ID）为120A，导通电阻（RDON）仅为16mΩ，有助于显著降低导通损耗，提升整体系统效率。碳化硅材料赋予器件优异的耐高压能力和高效热管理性能，适合高频率、高效率的电力转换应用。该MOSFET可广泛应用于高性能电源系统、储能设备及精密电子装置中的功率管理模块，为复杂电路设计提供高效且可靠的技术支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSC017SMA120B4-HXY

商品编号

C52043411

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.49克(g)