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UF3C065040K3S-HXY
碳化硅功率MOSFET，高阻断电压、低导通电阻，开关特性与温度无关，具备高工作结温能力
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- 描述
- 本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料，具备优异的导热性与耐高温性能。在导通状态下，其漏源电阻（RDON）低至40毫欧，可有效降低导通损耗，提升系统效率。额定漏极电流（ID）为52A，适合高功率密度应用场景。器件结构设计优化，具备快速开关特性，适用于高效电源转换系统，如光伏逆变器、储能系统及高频电源设备，为复杂工况下的电力电子系统提供稳定可靠的核心支持。
- 商品型号
- UF3C065040K3S-HXY
- 商品编号
- C52043412
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.682nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ |