NVH4L060N065SC1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容等特性

描述

本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力，连续漏极电流ID可达52A，漏源击穿电压VDSS为650V，确保在高压环境下稳定工作。导通电阻RDON低至40mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料的使用赋予器件优异的热稳定性和高频工作能力，适用于电源转换、高效能电机控制及精密电力电子装置，为复杂电路设计提供可靠的技术支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVH4L060N065SC1-HXY

商品编号

C52043409

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

9.67克(g)