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NVH4L060N065SC1-HXY实物图
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NVH4L060N065SC1-HXY

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描述
本产品为N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备高电流承载能力,连续漏极电流ID可达52A,漏源击穿电压VDSS为650V,确保在高压环境下稳定工作。导通电阻RDON低至40mΩ,有效降低导通损耗,提高系统效率。碳化硅材料的使用赋予器件优异的热稳定性和高频工作能力,适用于电源转换、高效能电机控制及精密电力电子装置,为复杂电路设计提供可靠的技术支持。
商品型号
NVH4L060N065SC1-HXY
商品编号
C52043409
商品封装
TO-247H-4L​
包装方式
管装
商品毛重
9.67克(g)

商品参数

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参数完善中

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