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NVH4L060N065SC1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容等特性
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力，连续漏极电流ID可达52A，漏源击穿电压VDSS为650V，确保在高压环境下稳定工作。导通电阻RDON低至40mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料的使用赋予器件优异的热稳定性和高频工作能力，适用于电源转换、高效能电机控制及精密电力电子装置，为复杂电路设计提供可靠的技术支持。
- 商品型号
- NVH4L060N065SC1-HXY
- 商品编号
- C52043409
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.621nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 101pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@15V |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 优化的封装，具有独立的驱动源引脚
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 快速本征二极管，具有低反向恢复电荷Qrr
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电器
- 服务器与通信电源
- UPS
- 太阳能逆变器
- SMPS