- 引脚图
型号：NVH4L060N065SC1-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容等特性
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的NVH4L060N065SC1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。NVH4L060N065SC1-HXY参考售价为32.18元起，现货库存数量2个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
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