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IMZA65R039M1HXKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用第三代碳化硅MOSFET技术，优化封装，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特性
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备52A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，确保在中高压环境下稳定运行。导通电阻低至40mΩ，有效减少导通损耗，提升系统能效。碳化硅材料赋予器件优异的热导性能和高频工作特性，适用于高效率电源转换、精密电机控制及高性能电力电子系统，满足复杂电路设计对高可靠性和高响应速度的要求。
- 商品型号
- IMZA65R039M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C52043410
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.621nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 101pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |
- MSC017SMA120B4-HXY
- UF3C065040K3S-HXY
- UJ3C120040K3S-HXY
- UF3C120040K3S-HXY
- UF3SC120016K4S-HXY
- BTA41-600BRG-HXY
- BTA41-800BRG-HXY
- BTA08-600C-HXY
- BTA16-600BRG-HXY
- BTA16-800BWRG-HXY
- BTA24-600BWRG-HXY
- 01113C
- NMST-125B(50m)
- NMST-100(32.5+67.5)
- THWGQ-3-16mm-550mm
- CX-201-12-12(9CM)
- HY-150mm/black
- CSF-4
- MBS-50
- HY-2-1-1
- TKLZ-M3-9（4.2）