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RUE002N02TL-TP
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, b = 0.8A。 RDS(ON) = 250mΩ @ VGS = 4.5V (典型值)。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 2.5V (典型值)。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- RUE002N02TL-TP
- 商品编号
- C51939595
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 0.8A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 250 mΩ（典型值）
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 300 mΩ（典型值）
- 静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换