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TPSI4850DY-T1-GE3
N沟道增强型功率MOSFET，高功率和电流处理能力，无铅产品，表面贴装封装
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSI4850DY-T1-GE3
- 商品编号
- C51939670
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 8A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ(典型值:14mΩ)
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 要求为无铅产品
- 表面贴装封装
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