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SI1012X-TP
N沟道增强型MOSFET，适用于负载/电源开关、接口开关、电池管理、逻辑电平转换，具备ESD保护功能
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI1012X-TP
- 商品编号
- C51939598
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 0.8A
- 栅源电压(VGS) = 4.5V 时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 250mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = 2.5V 时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 300mΩ(典型值)
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换