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TPCJU30P10
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：Vds = -100V，D = 30A。RDS(ON) = 40mΩ @ VGS = -10V。先进的MOSFET工艺技术。专为PWM、负载开关和通用应用而设计。超低导通电阻和低栅极电荷。快速开关和反向体恢复。150℃工作温度
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPCJU30P10
- 商品编号
- C51939636
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 222pF |
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