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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPK21E4US5

单通道高速低端栅极驱动器

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描述
该设备是一款紧凑型栅极驱动器,可出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器(缓冲电路)解决方案。适用于 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件(如 GaN),适合高速应用。其不对称的 4A 峰值源电流和 8A 峰值灌电流可增强对寄生米勒导通效应的免疫力。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性可增强瞬态抗扰度。
商品型号
TPK21E4US5
商品编号
C51939654
商品封装
SOT-23-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)600mA
拉电流(IOH)300mA
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)7ns
属性参数值
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性欠压保护(UVP)
工作温度0℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.4V
输入低电平(VIL)1.2V
静态电流(Iq)100uA
功能特性使能关断

商品概述

该器件是一款紧凑型栅极驱动器,可出色替代NPN和PNP分立式驱动器(缓冲电路)解决方案。该驱动器适用于MOSFET、IGBT以及新兴的宽禁带功率器件(如GaN)。它适用于高速应用。其不对称的4A峰值源电流和8A峰值灌电流增强了抗寄生米勒导通效应的能力。其特性包括宽输入迟滞和负输入电压处理能力,可增强瞬态抗扰度。

商品特性

  • 4.5至15V单电源范围
  • 在VDD欠压锁定期间输出保持低电平
  • 兼容TTL和CMOS的输入逻辑阈值
  • 输入引脚悬空时输出设计为保持低电平
  • 快速上升和下降时间(典型值9ns和7ns)
  • 快速传播延迟(典型值13ns)
  • 分离式输出配置
  • 强大的灌电流提供增强的抗米勒导通能力
  • 输入引脚可承受低于GND引脚5V的电压
  • 紧凑型封装:SOT23-5

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 台式机电源
  • 开关模式电源
  • 数字电源控制器的配套栅极驱动器
  • 新兴宽禁带功率器件(如GaN)的栅极驱动器

数据手册PDF