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TPD1220-1R0实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPD1220-1R0

低电容双向ESD二极管

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私有库下单最高享92折
描述
特性:低工作电压:1.0V。 超低电容:0.2pF(典型值)。 超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±15kV,接触放电±12kV。 IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。应用:手机及配件。 个人数字助理
商品型号
TPD1220-1R0
商品编号
C51939638
商品封装
DFN0603-2​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)1V
钳位电压3.5V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)14W@8/20us
属性参数值
击穿电压2.9V
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
Cj-结电容0.2pF

商品特性

  • 低工作电压:1.0V
  • 超低电容:0.2pF(典型值)
  • 超低泄漏电流:纳安级别
  • 低钳位电压
  • IEC 61000-4-2(静电放电)抗扰度测试 空气放电:±15kV
  • IEC 61000-4-2(静电放电)抗扰度测试 接触放电:±12kV
  • IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)40A(5/50ns)
  • IEC 61000-4-5(浪涌)4A(8/20μs)
  • 双引脚无引脚封装
  • 这些是无铅器件
  • 典型响应时间 < 1ns

应用领域

  • 手机及配件
  • 个人数字助理
  • 笔记本电脑和手持设备
  • Thunderbolt 3.0
  • USB 3.x

数据手册PDF