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TPM10030PK3
P沟道增强型MOSFET，适用于PWM、负载开关和通用应用，采用先进MOSFET工艺技术，超低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和反向体恢复
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM10030PK3
- 商品编号
- C51939659
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 222pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 漏源电压(Vds)=-100V,漏极电流(ID)=-30A
- 栅源电压(VGS)=-10V时,导通电阻(RDS(ON))=40mΩ
- 先进的MOSFET工艺技术
- 专为PWM、负载开关和通用应用设计
- 超低导通电阻和低栅极电荷
- 快速开关和反向体恢复
- 工作温度可达150°C