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TPM6080NHK3-1
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低栅极电荷，可降低开关损耗。 漏源导通电阻（VGS = 10V时）≤5.8mΩ（典型值）。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM6080NHK3-1
- 商品编号
- C51939660
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
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