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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STD60NF55LAT4-TP

N沟道MOSFET,适用于电源管理、DC/DC转换器、负载开关和LCD显示逆变器

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商品型号
STD60NF55LAT4-TP
商品编号
C51939614
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.359克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)85W
阈值电压(Vgs(th))1.9V
栅极电荷量(Qg)50nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.05nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)158pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 50A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ

应用领域

-笔记本电脑电源管理-DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器

数据手册PDF