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TPSI1012R-T1-GE3
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, b = 0.8A。 RDS(ON) = 250mΩ @ VGS = 4.5V (typ)。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 2.5V (typ)。 ESD Protection。应用：Load/Power Switching。 Interfacing Switching
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSI1012R-T1-GE3
- 商品编号
- C51939719
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- V_DS = 20 V， I_D = 0.8 A
- R_DS(ON) = 250 mΩ @ V_GS = 4.5 V (典型值)
- R_DS(ON) = 300 mΩ @ V_GS = 2.5 V (典型值)
- ESD保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子产品的电池管理
- 逻辑电平转换
- TPSI1032R-T1-GE3
- F9-13-6-0.4ZS
- 853D
- GT-HD001A-CGNG0
- GT-B0805MSV47-50S1101
- GT-B0805FSV77-50S0101
- GT-TA092A-H038-L1B
- GT-TA092B-H038-L1A
- GT-TC029D-H030-L1A
- LKML2702W560MF
- LKLU2702A471MF
- OLKU2702E181MF
- OLKU2702G121MF
- OLKU2701E472MF
- OLKU2701V392MF
- OLKU2702W820MF
- OLKU2701H222MF
- OLKS2702D181MF
- OLKS2702E121MF
- OLKE2702C121MF
- OLKE2701V152MF