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TPSI1012R-T1-GE3
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, b = 0.8A。 RDS(ON) = 250mΩ @ VGS = 4.5V (typ)。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 2.5V (typ)。 ESD Protection。应用：Load/Power Switching。 Interfacing Switching
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSI1012R-T1-GE3
- 商品编号
- C51939719
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | - | |
| 最大连续电流 | 800mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | - | |
| 导通电阻 | 250mΩ | |
| 工作温度 | - | |
| 特性 | - |
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