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RTE002P02-TP
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -20V，ID = -0.8A。 RDS(ON) < 590mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 900mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- RTE002P02-TP
- 商品编号
- C51939594
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 590mΩ@4.5V；900mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -0.8A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 590 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 900mΩ
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换