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FDMS6681Z-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款FDMS6681Z-MS是一款P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼具出色散热性能与高集成度。器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)，可承载高达110A的连续电流，而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升，降低功耗损失。广泛应用于高压大电流领域，如电源转换、电机驱动等，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- FDMS6681Z-MS
- 商品编号
- C51927958
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
FDMS6681Z-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -100A
- RDS(ON) < 4mΩ,VGS = -10V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源