温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS4935N-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款NTMFS4935N-MS是一款N沟道场效应管，电流达150A，具备强大的电流承载能力。电压为30V，可在特定电路环境稳定工作。内阻典型值2mR，能量损耗极小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有高要求的大型电子设备中。(NTMFS4935NT1G)
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- NTMFS4935N-MS
- 商品编号
- C51927955
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 326pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NTMFS4935N-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 90 A
- RDS(ON) < 4.7 mΩ,Vgs = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源