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BSC070N10NS5-MS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC070N10NS5-MS

BSC070N10NS5-MS

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描述
此款BSC070N10NS5-MS是一款N沟道MOSFET,采用小型DFN5X6-8L封装,适合空间有限的应用环境。器件特点明显,具有100V的最大漏源电压(VDSS),能承载高达75A的连续漏极电流(ID),并且拥有出色的导通性能,导通电阻仅为7.3mR(RD(on)),确保在高电流传输中仍保持较低的功率损耗。适用于电源转换、电池管理系统、马达驱动等高功率、高效率的电路设计中。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
BSC070N10NS5-MS
商品编号
C51927954
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2208克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

BSC070N10NS5-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
  • 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ

应用领域

  • 消费电子电源
  • 电机控制
  • 同步整流隔离直流
  • 同步整流应用

数据手册PDF