BSC070N10NS5-MS
BSC070N10NS5-MS
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- 描述
- 此款BSC070N10NS5-MS是一款N沟道MOSFET,采用小型DFN5X6-8L封装,适合空间有限的应用环境。器件特点明显,具有100V的最大漏源电压(VDSS),能承载高达75A的连续漏极电流(ID),并且拥有出色的导通性能,导通电阻仅为7.3mR(RD(on)),确保在高电流传输中仍保持较低的功率损耗。适用于电源转换、电池管理系统、马达驱动等高功率、高效率的电路设计中。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC070N10NS5-MS
- 商品编号
- C51927954
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2208克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSC070N10NS5-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流隔离直流
- 同步整流应用
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