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BSC067N06LS3G-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款BSC067N06LS3G-MS为N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，拥有出色的散热性能与紧凑尺寸。额定电压为60V，连续电流高达80A，特别适合于高效电源转换、大电流负载开关控制及电池管理系统等应用，提供卓越的功率密度和稳定性。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC067N06LS3G-MS
- 商品编号
- C51927953
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSC067N06LS3G-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 80A
- RDS(ON) < 7mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源