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AON6508-MS
AON6508-MS
- 描述
- 此款AON6508-MS为N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON6508-MS
- 商品编号
- C51927952
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2236克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
AON6508采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，Vgs = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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