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BSC160N10NS3G-MS
BSC160N10NS3G-MS
- 描述
- 此款BSC160N10NS3G-MS为N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，特别为高功率密度应用设计。额定电压100V，能承载高达75A连续电流，适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景，提供卓越的导通性能与热管理效率，是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC160N10NS3G-MS
- 商品编号
- C51927951
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2196克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSC160N10NS3G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用
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