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BSC160N10NS3G-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 此款BSC160N10NS3G-MS为N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，特别为高功率密度应用设计。额定电压100V，能承载高达75A连续电流，适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景，提供卓越的导通性能与热管理效率，是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC160N10NS3G-MS
- 商品编号
- C51927951
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSC160N10NS3G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用