SIC0860PL8-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降（VF）低至1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备快速恢复速度和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIC0860PL8-HXY
商品编号: C51896314
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数