IDL04G65C5-HXY

IDL04G65C5-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路，适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDL04G65C5-HXY

商品编号

C51896331

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)