C3D08065E-TR-HXY

C3D08065E-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.4V。依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性，器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度，反向恢复电荷极低。适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用，能有效降低系统开关损耗，提升功率密度与整体能效水平，尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3D08065E-TR-HXY

商品编号

C51896341

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.392克(g)