IDL10G65C5XUMA2-HXY

IDL10G65C5XUMA2-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关速度与高温稳定性，反向恢复特性优异，漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换，适用于高密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、不间断电源（UPS）及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路，有助于降低系统热损耗并提升功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDL10G65C5XUMA2-HXY

商品编号

C51896361

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)