C4D08120E-TR-HXY

C4D08120E-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V。基于碳化硅材料，具备出色的耐高压与高温性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高电压、高效率的电力转换场景，如大功率开关电源、光伏逆变器、储能系统中的DC-DC变换模块以及高可靠性不间断电源（UPS）等，可有效提升系统开关频率与能量转换效率，同时降低热管理复杂度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C4D08120E-TR-HXY

商品编号

C51896377

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.392克(g)